中国台湾媒体和半导体行业人士称，台积电近期开始准备为苹果和英伟达试产2纳米产品

6月6日，中国台湾媒体和半导体行业人士称，台积电近期开始准备为苹果和英伟达试产2纳米产品。为了开发2纳米工艺，台积电将派遣约1,000名研发(R&D)人员前往中国台湾北部新竹科学园区正在建设中的Fab 20。

此前，三星电子于2022年6月通过GAA工艺开始量产3纳米芯片，比台积电提前6个月，世界第一。受到三星先发制人的打击，台积电高层多次公开2nm制程计划，引发超精细制造竞赛。

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宣布计划在2021年重新进入代工业务的英特尔也加入了超精细制造竞赛。美国半导体巨头这家美国半导体巨头在当地时间6月1日的在线活动中公布了其晶圆背面电源解决方案“PowerVia”的技术概述、测试数据和路线图，开始扩大其在晶圆代工行业的影响力。据报道，台积电还在开发向半导体背面供电的技术，目标是到2026年使用该技术。

英特尔设定了一个目标，将其代工工艺从目前的7纳米范围推进到明年上半年的20A（2纳米）范围和下半年的18A（1.8 纳米）范围。今年3月，该公司制定了一项计划，通过与ARM建立合作伙伴关系，使用1.8纳米工艺开发下一代移动片上系统 (SoC)。不过，业内人士也存在一些悲观情绪，认为即使英特尔按照路线图取得成功，要实现收支平衡对公司来说也是一个很大的挑战。

“三星目前在3纳米半导体生产方面落后台积电一年，在4纳米半导体生产方面落后两年，”三星电子DS部门总裁Kyung Kye-hyun早些时候在大田KAIST的一次演讲中说，“我们的目标是在台积电开始 2 纳米 GAA 工艺时赶上台积电，”Kyung说。由于三星电子率先采用GAA技术，这家韩国芯片制造商计划赶超台积电，并从台积电开始应用GAA技术的2纳米工艺开始，获得对中国台湾晶圆代工巨头的技术优势。