庄伟东博士,1988年毕业于上海交通大学,获材料科学专业工学学士学位。1991年获得上海交通大学复合材料专业工学硕士学位。1992年赴美国麻省理工学院(MIT)攻读博士学位,1996年获电子材料博士学位。毕业后进入美国半导体工业界,从事功率半导体器件和工艺的研发。历任设计工程师,高级工程师, 总工程师,研发部门经理等职。主要工作有电力电子、MOSFET、IGBT、FRED、Schottky Rectifier,和UFR 、晶闸管等功率芯片的研发,以及对由这些半导体功率芯片组成的功率模块和多芯片模块(MCM)的设计及工艺的开发和应用。对基于半导体物理的晶闸管功率器件可靠性及失效原理进行了深入研究,参与并主持过多个大型工程系统关键器件的研制,如美国国际载人空间站的供电系统,空中客车公司A380 型客机的舱内供电系统等。申请并获得十数个美国专利。归国前担任美国IR(国际整流器)模块公司研发部经理,归国后一直担任公司总经理兼总工程师。
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庄伟东博士主要进行功率半导体器件基础研究及模块应用基础研究工作。器件方面主要研究MOSFET,IGBT,FRED,Schottky Rectifier,和UFR等功率半导体芯片的基础物理特性以、新型设计和工艺方法,模块应用方面主要针对由上述功率半导体芯片组成的功率模块和多芯片模块(MCM)的设计、工艺及其应用。整流器
2007年11月,由庄伟东博士领衔的海外技术团队与江苏银茂控股集团共同成立了南京银茂微电子制造有限公司,生产厂区位于溧水经济开发区秀山西路9号,占地112亩。前期已投入资金近一亿元人民币,建成了总计逾二万平方米的电子厂房、办公楼、研发楼及生活区。一期项目以研发、制造和销售拥有自主知识产权的新型电力电子模块(IGBT功率模块,MOSFET功率模块)、全气密半气密高可靠性混合电路电子器件、大规模变流技术核心组件为主营业务。
拥有60台套以上的世界先进工艺制造、产品测试和可靠性测试设备,具备年产中小功率模块65万件以上的生产能力,是目前国内最大的电力电子功率模块生产基地之一。公司研发方向包括IGBT和MOSFET功率模块、集成组件和变流系统,特别是适用于未来广泛的新能源和混合动力汽车应用方面的功率器件研究。不仅带动上游芯片业和新能源产业的发展,还利于节能降耗可持续发展。庄伟东博士带领技术团队通过自主创新、自主研发、自主科技成果转化,拥有产品的全部自主知识产权,建立了完备的知识产权管理体系。拥有“一种超薄空腔型功率模块及其封装方法”等专利(包括申请阶段)共八项;其中发明专利5项,获得授权2项,实用新型获得授权2项;申请阶段国内专利4项。
2008年,庄伟东博士荣获江苏省高层次创新、创业人才称号。2010庄伟东博士年入选国家“千人计划”,为国家级特聘专家。2011年3月入选江苏省科技企业家培育工程。
(来源:中国电力电子产业网)