中国光芯片市场规模为4.2亿美元

光芯片是光模块中完成光电信号转换的直接芯片，按应用情况，分为激光器芯片和探测器芯片。

激光器芯片发光基于激光的受激辐射原理，按发光类型，分为面发射与边发射：面发射类型主要为VCSEL(垂直腔面发射激光器)，适用于短距多模场景;边发射类型主要为FP(法布里-珀罗激光器)、DFB(分布式反馈激光器)以及EML(电吸收调制激光器)。FP适用于10G以下中短距场景，DFB及EML适用于中长距高速率场景。EML通过在DFB的基础上增加电吸收片(EAM)作为外调制器，目前是实现50G及以上单通道速率的主要光源。

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探测器芯片主要有PIN(PN二极管探测器)和APD(雪崩二极管探测器)两种类型，前者灵敏度相对较低，应用于中短距，后者灵敏度高，应用于中长距。

随着集成电路的不断发展，传统的电子集成电路在带宽与能耗等方面逐渐接近极限 。随着电子电路集成度的不断提高，金属导线变得越来越细，导线之间的间距不断缩小，这一方面使得导线的电阻和其欧姆损耗不断增大，使得系统能耗不断增加;另一方面会造成金属导线间的电容增大，引起导线之间的串扰加大，进而影响芯片的高频性能。

电子集成芯片采用电流信号来作为信息的载体，而光子芯片则采用频率更高的光波来作为信息载体。相比于电子集成电路或电互联技术，光子集成电路与光互连展现出了更低的传输损耗 、更宽的传输带宽、更小的时间延迟、以及更强的抗电磁干扰能力  。 此外，光互联还可以通过使用多种复用方式(例如波分复用WDM、模分互用MDM等)来提高传输媒质内的通信容量。 因此，建立在集成光路基础上的片上光互联被认为是一种极具潜力的技术用以克服电子传输所带来的瓶颈问题。

光模块是光芯片的载体，从光模块市场规模来看光芯片市场规模。据统计，全球光模块市场规模为80亿美元，同比上涨15.94%。预计今后市场规模将达到145亿美元，年均复合增速约为10.4%。

据统计，中国光芯片市场规模为4.2亿美元，同比增长9.52%。预计今后6.7亿美元迅速增长到11亿美元,CAGR将达到17.4%。目前国内主流激光器专业厂商收入仅1-2亿元，国内发展环境依然是发展大于竞争。

从整体光器件元件市场竞争格局来看，行业并购加速，整合助推行业集中度提升，但当前行业集中度仍不高。据统计，H1市场份额排名前三的分别为II-VI、Lumemtum、Sumitomo，占比分别为23%，13%和8%。虽然行业内的并购整合给行业集中度带来了边际改善，但集中度仍不高。目前国内光芯片产业面临较为广阔的进口替代空间，国内光芯片产业链的逐步成熟有望进一步加速国产化进程。